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IXFB40N110P
40
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
35
30
25
V GS = 10V
8V
7V
80
70
60
V GS = 10V
8V
50
20
15
40
30
7V
10
5
0
6V
5V
20
10
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value
vs. Junction Temperature
35
30
V GS = 10V
7V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.2
25
2.0
I D = 40A
20
15
6V
1.8
1.6
1.4
I D = 20A
1.2
10
5
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value
vs. Drain Current
45
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
40
35
30
25
1.8
20
1.6
1.4
15
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFB62N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB70N60Q2 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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